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目 录1

1．半导体物理的一些基本概念1

1-1固体中的能带结构1

1-2费米分布函数和费米能级5

1-3半导体晶体中的电子和空穴9

1-4本征半导体中的载流子浓度12

1-5半导体中的施圭杂质和受主杂质16

1-6电阻率和电导率26

2．结的理论与特性35

2-1载流予扩散35

2-2载流子寿命38

2-3平衡结44

2-4非平衡结60

2-5结电容75

2-6反向击穿77

3．杂质扩散和扩散结的性质82

3-1扩散理论82

3-2 工艺因素对扩散分布的影响89

3-3扩散层的测定94

3-4扩散结的性质104

3-5金扩散110

4．晶体管基本原理114

4-1用作放大器的n-p-n结型晶体管114

4-2电流增盆和晶体管结构的关系120

4-3缓变基区的电流增盆127

4-4 晶体管的基极电阻129

4-5基极输入和集电极饱和电压132

4-6晶体管的最大电压特性134

4-7晶体管的频率响应136

4-8晶体管的开关特性143

4-9开关过程的定性描述145

5．单块和混合电路的设计原理151

5-1基本工艺过程152

5-2混合集成电路的设计原理153

5-3单块电路的设计原理154

5-4基本的单块结构156

5-5各种工艺的优缺点167

5-6p-n-p-n-p-n结构的形成170

5-7光致抗蚀工艺175

5-8光掩模的制造176

5-9单块电路设计中的考虑179

5-10单块电路设计举例182

5-11小结190

6．多相单块集成电路195

6-1多相单块集成电路的制造198

6-2多相单块集成电路的优点202

7．单块电路的晶体管和二极管205

7-1单块集成电路晶体管的结构205

7-2击穿电压特性212

7-3漏电流特性214

7-4单块（电路）晶体管的电容214

7-5电流增盆219

7-6饱和特性222

7-7单块电路晶体管的频率响应225

7-8单块电路晶体管特性及电路应用小结229

7-9把集成电路晶体管用作二极管的五种基本接法233

7-10二极管反向击穿电压235

7-11二极管漏电流236

7-12二极管电容238

7-13二极管存储时间（二极管恢复时间）240

7-14正向特性242

7-15 p-n-p寄生晶体管作用244

7-16集成电路二极管小结246

8．集成电路中的场效应器件249

8-1场效应晶体管的工作和设计原理251

8-2其他结型场效应器件262

8-3场效应器件工艺268

8-4绝缘栅FET275

9．集成电路中其他有源器件280

9-1隧道二极管和反向二极管280

9-2变容二极管283

9-3单结晶体管288

9-4 p-n-p-n开关290

10．集成电路的无源元件295

10-1结（型）电容器296

10-2薄膜电容器302

10-3扩散电阻器307

10-4薄膜电阻器317

10-5电感器321

10-6压电滤波器323

10-7大容量电容器323

10-8集成电路系统的其他元件324

10-9小结324

11．单晶生长和外延工艺326

11-1晶体生长326

11-2切片和抛光327

11-3外延327

12．晶片加工343

12-2扩散345

12-1外延345

12-3光致抗蚀法357

12-4二氧化硅－硅的界面效应365

12-5欧姆接触的形成368

13．集成电路中的薄膜374

13-1薄膜的淀积376

13-2薄膜的改性386

13-3薄膜图形的形成387

13-4薄膜参数的调整389

13-5薄膜的接触390

13-6衬底制备391

13-7相容电路的设计392

13-8薄膜电路的相容性394

13-9薄膜工艺小结397

14-1管芯切割和焊接401

14．装架工艺401

14-2引线焊接408

14-3封口416

14-4寄生成份418

14-5导热问题419

15．集成电路的封装421

15-1外壳的密封422

15-2扁平外壳425

15-3 T0-5型外壳429

15-4外壳的检验431

15-5散热问题434

15-6集成电路封装的发展趋势441

附录A443

附录B444

附录C445