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符号表1

第一章 绪论3

第一节 引言3

第二节 场效应和半导体界面空间电荷区3

1.场效应3

2.空间电荷区5

第三节 半导体界面 MOS C-V 特性10

1.理想 MOS 结构的 C-V 特性10

2.真实 MOS 结构12

第四节 空间电荷区的量子效应13

第二章 二维电子气的基本特性18

第一节 二维布里渊区和二维电子气的状态密度18

第二节 极化和屏蔽20

第三节 等离激元(Plasmon)26

第四节 束缚态、局域化和杂质带28

第五节 多体效应31

1.量子电子流体31

2.经典电子流体36

第六节 二维系统中输运的一般特点38

第三章 能级和波函数40

第一节 次能带结构40

1.硅空间电荷层中电子的哈特利近似40

2.自洽计算和结果45

3.近似能量和波函数48

第二节 多体效应52

第三节 界面过渡区的影响58

第四节 液氦上的电子61

第一节 引言62

第四章 次能带光谱62

第二节 影响次能带光谱的各种因素63

第三节 远红外光谱69

第四节 在磁场中的次能带和光学跃迁75

第五节 喇曼散射光谱80

第五章 扩展态输运83

第一节 输运的测量83

第二节 实验结果88

1.简介88

2.300K 范围90

3.4.2K 范围91

4.4.2K～90K96

5.其他表面——n 沟道97

1.库仑散射98

第三节 低温的散射机构98

6.噪声98

2.表面粗糙度散射102

3.多个次能带输运109

第四节 高温下的声子散射113

第五节 热电子效应117

第六章 激活态输运123

第一节 阈值附近的激活电导123

1.简介123

2.安德森转变124

3.“非理想”的激活电导127

4.衬底偏压129

5.霍耳效应132

6.其他实验133

7.小结134

第二节 低温下的对数电导135

第三节 二维杂质带140

第七章 强磁场中的输运148

第一节 简介148

第二节 二维系统中的量子输运理论149

1.静态输运149

2.动力学电导率158

第三节 反型层中的磁输运和量子霍耳效应161

1.强磁场的情况161

2.整数量子霍耳效应和分数量子霍耳效应164

3.弱磁场中的磁致电阻(Shubnikov-de Haas)振荡169

4.自旋和能谷分裂171

第四节 回旋共振176

1.回旋共振的特点176

2.回旋有效质量179

3.等离激元和磁等离激元吸收182

第五节 强磁场中的电子局域化185

第八章 其他电子结构问题189

第一节 能谷分裂——超越有效质量近似189

1.能谷分裂的机制189

2.Si(100)面上的能谷分裂199

3.Si(100)近邻面小的微小能隙204

第二节 能谷简并和应力效应209

1.Si(111)和(110)面上的能谷简并209

2.Si(100)上的应力效应211

3.凯利(Kelly)-法利可夫(Falicov)理论215

4.其余的发展220

第三节 电子晶格222

1.简介222

2.二维电子晶体224

3.磁场中的电子晶体227

第九章 硅 n 沟道以外的系统231

第一节 硅 P 沟道界面层231

第二节 Ⅲ-V 族化合物及其他化合物235

1.能级结构235

2.InSb239

3.InAs240

4.InP242

5.Hg?-xCdxTe242

第三节 其他材料上的空间电荷层243

1.Ge243

2.Te245

3.PbTe246

1.结构247

4.ZnO247

第四节 异质结、量子势阱、超晶格247

2.能级249

3.光学性质250

4.输运性质和高电子迁移率晶体管(HEMT)251

5.磁输运258

第五节 薄膜259

第六节 层状化合物和插层石墨260

第七节 电子空穴系统260

第八节 在浓氦表面上的电子261

第九节 金属中磁场感应的表面态266

结束语266

附录 特征的度量值266

参考书目271